| Robert Dennard | |
|---|---|
| Robert H Dennard | |
| Data nașterii | 5 septembrie 1932 [1] (90 de ani) |
| Locul nașterii | |
| Țară | |
| Sfera științifică | Inginerie Electrică |
| Loc de munca | IBM |
| Alma Mater | |
| Grad academic | Ph.D. |
| Cunoscut ca | inventatorul DRAM -ului și legea scalarii |
| Premii și premii | Premiul Institutul de Ingineri Electrici și Electronici Cledo Brunetti [d] ( 1982 ) Fellow IBM [d] Medalia Națională a Tehnologiei și Inovației din SUA ( 1988 ) medalia Edison ( 2001 ) Medalia Benjamin Franklin ( 2007 ) Premiul Harvey ( 1990 ) Medalia de onoare IEEE ( 2009 ) Hall of Fame a inventatorilor naționali din SUA Premiul Charles Stark Draper ( 2009 ) Premiul Kyoto pentru tehnologie avansată [d] ( 2013 ) Premiul Lemelson ( 2005 ) Premiul IRI pentru realizare [d] ( 1990 ) Premiul Kyoto Premiul NAS pentru aplicarea industrială a științei [d] |
Robert Dennard (născut la 5 septembrie 1932) este un inginer electric și inventator american .
Dennard sa născut în Terrell , Texas , SUA . Și-a primit diplomele de licență și de master în inginerie electrică de la Dallas Southern Methodist University în 1954 și, respectiv, 1956. Și-a primit doctoratul de la Carnegie Institute of Technology din Pittsburgh , Pennsylvania în 1958. A fost cercetător la International Business Machines .
Cea mai faimoasă invenție a sa a fost făcută în 1968 - invenția memoriei dinamice cu acces aleatoriu (DRAM). Dennard a fost, de asemenea, printre primii care au recunoscut potențialul enorm al structurilor MOS . În 1974, Teoria Scaling a lui Dennard , care explică legea lui Moore, a fost dezvoltată de Robert Dennard și colegii săi de la IBM . Lucrând la MOSFET -uri și structuri MOS , Dennard a dedus condiția necesară pentru ca legea lui Moore să fie valabilă . Esența descoperirii este că, dacă mențineți constantă valoarea intensității câmpului electric în timp ce reduceți dimensiunea tranzistorului, atunci parametrii de performanță se îmbunătățesc. În timpul cercetărilor lui Dennard, a fost posibil să se arate că structurile MOS au un mare potențial de miniaturizare.