Kardo-Sysoev, Alexey Fedorovich
Versiunea stabilă a fost verificată pe 2 iulie 2022 . Există modificări neverificate în șabloane sau .| Alexey Fedorovich Kardo-Sysoev | |
|---|---|
| Data nașterii | 7 iunie 1941 (81 de ani) |
| Locul nașterii | Leningrad |
| Țară | URSS → Rusia |
| Sfera științifică | tehnica impulsului |
| Loc de munca | FTI-i. Ioffe RAS |
| Alma Mater | LETI |
| Grad academic | Doctor în Științe Fizice și Matematice |
| Premii și premii |
 |
Aleksey Fedorovich Kardo-Sysoev (n . 7 iunie 1941, Leningrad ) este un fizician sovietic și rus, specialist în domeniul fizicii dispozitivelor semiconductoare puternice de mare viteză și electronică pulsată, doctor în științe. Laureat al Premiului de Stat al URSS (1987). Cercetător șef-consultant al Institutului Fizicotehnic al Academiei Ruse de Științe din Sankt Petersburg .
Primii ani, educație
Aparține genului Kardo-Sysoev . Mama, Elena Konstantinovna Kardo-Sysoeva, biolog, doctor în științe biologice. Bunicul, Konstantin Nikolaevich Kardo-Sysoev , chirurg oftalmolog, doctor în medicină, a murit la Leningrad în 1942 [1] . În 1942, după moartea bunicului său, Alexei și familia sa au fost evacuați din Leningradul asediat .
În 1958 a absolvit gimnaziul nr.1 a munților. Salekhard [2] . În 1964 a absolvit Institutul Electrotehnic din Leningrad (LETI) care poartă numele. V. I. Ulyanov (Lenin) .
Cariera profesionala
După terminarea studiilor la universitate, a lucrat ca inginer la Institutul de Televiziune din Leningrad timp de trei ani [3] .
Din 1967 - angajat al Institutului Fizico-Tehnic (PTI) numit după. A. F. Ioffe. Doctor în științe fizice și matematice (1988). Activitatea lui A. F. Kardo-Sysoev de la Institutul de Fiziotehnică este legată în principal de laboratorul de dispozitive semiconductoare de mare putere. În prezent, el deține funcția de Chief Consultant Research Fellow în acest laborator.
Activitate științifică și realizări
Efectuează cercetări în domeniul proceselor ultrarapide de acumulare și resorbție a plasmei electron-hole în dispozitive semiconductoare de înaltă tensiune de mare putere, circuite semiconductoare pulsate [3] . Unul dintre fondatorii unei noi direcții științifice și tehnice - electronica semiconductoare cu impulsuri de mare putere din intervalul nano- și subnano-secunde.
S-a descoperit experimental efectul defalcării întârziate prin ionizare de șoc a joncțiunilor pn de înaltă tensiune (împreună cu I. V. Grekhov ). Pe baza acestui efect, au fost create astfel de comutatoare de ionizare cu impact sub nanosecunde precum ascuțitoarele de impulsuri cu diode de siliciu și dinistorii de ionizare rapidă. În literatura engleză, aceste dispozitive au devenit cunoscute sub numele de Silicon Avalanche Sharpening diode (SAS), Fast Ionization Dynistor (FID). Apariția diodei SAS a crescut puterea comutată de dispozitivele semiconductoare în intervalul subnanosecunde cu 4 ordine de mărime simultan. A dezvoltat Drift Step Recovery Diode (DSRD ) Drift Step Recovery Diode, un comutator puternic de comutare în intervalul de nanosecunde.
Dezvoltarea diodei SAS și a DDRV a format elementul de bază al electronicii semiconductoare pulsate de mare putere în intervalul subnanosecunde. Acest lucru a făcut posibilă crearea unor generatoare compacte de înaltă eficiență de impulsuri de înaltă tensiune, comercializate până acum [4] .
Autor a peste 100 de publicații științifice [5] . Lucrări alese:
- Grekhov IV , Kardo -Sysoev AF Curentul subnanosecunde scade în defalcarea întârziată a joncțiunilor de siliciu pn // Sov. Teh. Fiz. Lett. – 1979 – vol. 5 - nr. 8-p. 395.
- Grekhov IV , Kardo -Sysoev AF , Kostina LS , Shenderey SV Comutator subnanosecunde de mare putere // Electronics Letters - 1981 - vol. 17 - nr. 12-p. 422 - DOI: http://dx.doi.org/10.1049/el:19810293 .
- Grekhov IV , Efanov VM , Kardo -Sysoev AF , Shenderey SV Power Drift Step Recovery Diodes (DSRD) // Solid-State Electronics - 1985 - vol. 28 - nr. 6-pag. 597–599 - DOI: 10.1016/0038-1101(85)90130-3.
- Kardo-Sysoev AF Noi dispozitive semiconductoare de putere pentru generarea de impulsuri nano- și subnanoscunde // în tehnologia radar de bandă ultra-largă , ed. JD Taylor - CRC Press - 2000 - ISBN: 849342678 - pp. 205–290.
Recunoaștere și premii
Laureat al Premiului de Stat al URSS în 1987 „Pentru dezvoltarea de noi principii de comutare a puterilor mari prin dispozitive semiconductoare” [6] .
Note
- ↑ Vezi în Cărțile Memoriei Rusiei , copie de arhivă din 31 decembrie 2019, la Wayback Machine („Blockade”).
- ↑ Iu. Morozov. Două clase pentru tot satul Obdorsk . Ziarul „Polar Circle”, munți. Salekhard (5 februarie 2015). - vezi finalul materialului. Preluat la 22 aprilie 2020. Arhivat din original la 25 martie 2019.
- ↑ 1 2 Vezi nota biografică despre A.F.Kardo-Sysoev din textul proiectului depus la concursul de inovare, pp. 32-33 (notă: această notă conține o greșeală de scriere în anul susținerii doctoratului - data corectă este 1988) .
- ↑ Vezi informațiile de pe site-urile FID Technology GmbH.Copie arhivată din 15 martie 2022 pe Wayback Machine (Germania) și Megaimpulse Copie arhivată din 14 martie 2022 pe Wayback Machine (Rusia).
- ↑ Vezi lista publicațiilor lui A.F. Kardo-Sysoev și datele citate ale acestora pe site-ul eLIBRARY.ru .
- ↑ Despre acordarea Premiilor de Stat URSS în domeniul științei și tehnologiei . Ziarul „Pravda” (7 noiembrie 1987). Preluat la 22 aprilie 2020. Arhivat din original la 14 mai 2021.