Arseniura de indiu
| arseniura de indiu | |
|---|---|
| General | |
| Chim. formulă | InAs |
| Proprietăți fizice | |
| Masă molară | 189,74 g/ mol |
| Densitate | 5,68 g/cm³ |
| Proprietati termice | |
| Temperatura | |
| • topirea | 942°C |
| Structura | |
| Structură cristalină |
structură cubică, sfalerite a = 0,60584 nm |
| Clasificare | |
| Reg. numar CAS | 1303-11-3 |
| PubChem | 91500 |
| Reg. numărul EINECS | 215-115-3 |
| ZÂMBETE | [Ca în] |
| InChI | InChI=1S/As.InRPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N |
| ChemSpider | 82621 |
| Siguranță | |
| NFPA 704 |
0
patru
0 |
| Datele se bazează pe condiții standard (25 °C, 100 kPa), dacă nu este menționat altfel. | |
| Fișiere media la Wikimedia Commons | |
Arseniura de indiu este un compus anorganic binar de indiu și arsen . Formula chimică a compusului InAs.
Se cristalizează într-o structură de tip sfalerit .
Este un semiconductor cu intercalare directă , aparținând grupului de semiconductori A III B V. La 300 K , are o bandă interzisă de aproximativ 0,35 eV .
Este folosit pentru fabricarea tranzistoarelor cu microunde . De asemenea, LED-uri și fotodiode , care funcționează în regiunea infraroșie a radiațiilor electromagnetice , senzori Hall de câmp magnetic , pentru organizarea ansamblurilor de puncte cuantice în unele dispozitive semiconductoare.
Datorită benzii interzise reduse, majoritatea dispozitivelor semiconductoare realizate din acest material funcționează numai la temperaturi criogenice sau foarte scăzute.