Stratul tampon este un strat semiconductor crescut pe un substrat cu o constantă de rețea diferită. În timpul creșterii peliculelor încordate , apar multe luxații neadaptate, care strica structura cristalină a cristalului crescut. Dar cu o grosime suficientă (de obicei mai mare de un micrometru), constanta rețelei a cristalului crescut, tăiată de o rețea de dislocații , devine aproape de constanta rețelei a unui material netensionat, pe care este deja posibil să crească structuri de bună calitate. .