Alinierea benzii este una dintre metodele de obținere a substanțelor pure pentru industria semiconductoarelor.
Dispunerea dispozitivului pentru alinierea zonei este foarte asemănătoare cu cea pentru topirea zonei , numai în acest caz, o sămânță de un singur cristal este plasată la capătul din dreapta (de exemplu) al bărcii și o zonă de topire este formată direct lângă sămânță. Prin deplasarea zonei de topire spre stânga, se poate obține întregul lingou de germaniu sub forma unui singur cristal cu exact aceeași orientare cristalografică ca și sămânța. Dacă în zona topită este introdus un dopant cu un coeficient de distribuție K < 1, de exemplu , In , atunci când zona de topire trece de-a lungul întregului lingot, este posibil să se realizeze o distribuție uniformă a impurităților și să se obțină mostre cu un anumit tip de conductivitate şi cu o anumită concentraţie de purtători mobili de sarcină în semiconductorul de impurităţi.
Metoda de nivelare a zonei poate fi utilizată pentru a obține monocristale de germaniu cu o impuritate de antimoniu , care diferă ca rezistivitate cu mai puțin de 10% la jumătate din lungimea lingoului și au o concentrație scăzută de dislocații (~1500 la 1 cm2 ) .