Mokerov, Vladimir Grigorievici

Vladimir Grigorievici Mokerov
Data nașterii	2 mai 1940( 02.05.1940 )
Locul nașterii	Satul Darovskoye, districtul Darovsky, regiunea Kirov, URSS
Data mortii	23 septembrie 2008 (68 de ani)( 23.09.2008 )
Un loc al morții	Moscova ,
Țară	→
Sfera științifică	fizica semiconductorilor , tehnologia micro- și nanoelectronicii, fizica sistemelor de dimensiuni joase
Loc de munca	Institutul de Electronică cu Semiconductori cu Microunde al Academiei Ruse de Științe
Alma Mater	Universitatea de Stat din Leningrad
Grad academic	Doctor în Științe Fizice și Matematice
Titlu academic	Membru corespondent al Academiei de Științe a URSS , profesor
Premii și premii

Vladimir Grigorievici Mokerov (2 mai 1940 - 23 septembrie 2008) - fizician sovietic și rus , doctor în științe fizice și matematice (1982), profesor (1989), membru corespondent al Academiei de Științe a URSS (1990) [1] , Membru corespondent al Academiei Ruse de Științe (1991).

Fondator și prim director al Institutului de Electronică a Semiconductorilor cu Microunde al Academiei Ruse de Științe , care acum îi poartă numele [2] . Fondator al unei școli științifice în domeniul electronicii heterostructurale cu microunde [3] .

Biografie

Vladimir Grigorievici Mokerov s-a născut la 2 mai 1940 în familia unui profesor rural. Tatăl - Grigory Ivanovich Mokerov, mama - Maria Sergeevna Mokerova. În 1945 familia sa stabilit la Leningrad . În 1957 a absolvit Școala Gimnazială nr. 35 din Leningrad. În 1958 a intrat la Facultatea de Fizică a Universității de Stat din Leningrad . În 1963, Vladimir Grigorievich a absolvit Universitatea de Stat din Leningrad și a intrat în funcția de inginer la Institutul de Cercetare în Electronică Moleculară al Ministerului Economiei al URSS din Zelenograd . În 1967, el descoperă fenomene anormale în timpul tranziției de fază semiconductor - metal în pelicule de oxizi de vanadiu [4] . În 1970 și-a susținut teza de doctorat pe tema „Proprietățile electrice și optice ale dioxidului de vanadiu în timpul tranziției de fază semiconductor-semimetalic”. Din 1967 până în 1988 a predat la Institutul de Tehnologie Electronică din Moscova (MIET). În 1977, a condus Departamentul pentru Studiul Structurilor Epitaxiale din cadrul NIIME. În 1982 și-a susținut teza de doctorat pe tema „Cercetarea oxizilor de vanadiu” [5] . În 1984, departamentul lui Mokerov a creat primul FET din URSS bazat pe heterostructura GaAs/GaAlAs [6] [7] .

La mijlocul anilor 1980, a fost tehnologul șef al Ministerului Industriei Electronice al URSS pentru controlul operațional al tehnologiei circuitelor integrate la scară largă . Munca sa din această perioadă a contribuit semnificativ la îmbunătățirea calității și a nivelului producției interne de microcircuite. În 1988, sa mutat să lucreze la Institutul de Inginerie Radio și Electronică al Academiei de Științe a URSS, ca șef al Departamentului de Micro- și Nanoelectronică. În 1989, Mokerov V. G. a primit titlul academic de profesor în specialitatea „Electronica solidă și microelectronica”. A predat la Institutul de Fizică și Tehnologie din Moscova . În 1991, a trecut la predarea la Institutul de Inginerie Radio, Electronică și Automatizare din Moscova (MIREA), conducând Departamentul de Dispozitive Semiconductoare. Din 1991 - Director adjunct al IRE RAS pentru munca stiintifica. În 1994, primele structuri de tranzistori rusești cu o sondă cuantică InGaAs/GaAs au fost create la Departamentul Mokerov [8] [9]

La 16 aprilie 2002, Prezidiul Academiei Ruse de Științe a emis o rezoluție privind înființarea Institutului de Electronică cu Semiconductori cu Microunde al Academiei Ruse de Științe, cu V. G. Mokerov numit director . Mokerov VG a fost numit șef al departamentului.

A fost membru al consiliilor editoriale ale revistelor „Microelectronics”, „Radio Engineering and Electronics” și „Microsystem Technology”. A fost membru cu drepturi depline - academician al Academiei de Științe Electrice a Federației Ruse și membru al Institutului Internațional de Ingineri Electrici și Electronici (IEEE, New York , SUA ). A murit la Moscova pe 23 septembrie 2008. A fost înmormântat la cimitirul Vagankovsky din Moscova [10] .

La 26 iulie 2010, a fost înființată Fundația pentru Sprijinul Educației și Științei, numită după Membru corespondent al Academiei Ruse de Științe, profesorul V. G. Mokerov [11] , care recompensează studenții talentați și tinerii oameni de știință care lucrează în domeniul electronicii heterostructurale cu microunde cu burse și granturi nominale.

Din mai 2010, pe baza NRNU MEPhI, au avut loc anual Conferințe științifice și practice internaționale privind fizica și tehnologia electronicii nanoheterostructurale cu microunde sub denumirea „Moker Readings” [12] .

Prin Ordinul nr. 23 al FASO din Rusia din 24 ianuarie 2018, Instituția științifică autonomă de stat federală a Institutului de Electronică cu semiconductori cu microunde al Academiei Ruse de Științe a fost numită după Membrul corespondent al Academiei Ruse de Științe Mokerov Vladimir Grigoryevich [13] ] .

Realizări științifice

• În 2006, pentru prima dată în Rusia, a fost dezvoltat și fabricat un circuit integrat monolitic al unui amplificator cu zgomot redus în trei trepte, bazat pe heterostructuri AlGaAs/InGaAs/GaAs [14] .
• În 2006-2008, sub conducerea lui Mokerov, IUHFPE RAS a început să stăpânească tehnologia internă pentru fabricarea tranzistoarelor bazate pe heterosistemul cu decalaj larg AlGaN/GaN, care a culminat cu crearea de tranzistori cu o poartă de 170 nm, o frecvență de tăiere de amplificare curentă de 48 GHz, o putere de 100 GHz și o putere de ieșire mai mare de 4 W/mm [15] .
• În 2008, pentru prima dată în Rusia, tranzistoarele cu microunde rezistente la temperatură ridicată și radiații bazate pe heterostructuri AlGaN/GaN cu o tensiune de rupere de peste 100 V, o densitate maximă de putere de cel puțin 4,5 W pe milimetru de lungime a porții și o frecvență de amplificare a puterii de limitare de 110 GHz, precum și o poartă ciupercă de 100 nm.
• Autor a 350 de lucrări științifice și a 12 invenții [16] .

Premii

• 13 februarie 1986 - a fost distins cu Ordinul Prietenia Popoarelor .
• 16 martie 2000 - Laureat al Premiului Guvernului Federației Ruse în domeniul științei și tehnologiei .
• 2001 - distins cu Ordinul de Onoare .

Note

1. ↑ Mokerov Vladimir Grigorievici. . Sistemul de informații „Arhivele Academiei Ruse de Științe”. Preluat: 12 septembrie 2018. (Rusă)
2. ↑ Profilul lui Vladimir Grigorievich Mokerov pe site-ul oficial al Institutului de Microbiologie și Economie al Academiei Ruse de Științe . Consultat la 12 septembrie 2018. Arhivat din original la 5 septembrie 2018. (Rusă)
3. ↑ VLADIMIR GRIGORIEVICH MOKEROV Cu ocazia împlinirii a 70 de ani . Inginerie radio și electronică, 2010, volumul 55, nr.8, p. 1020-1024. Consultat la 12 septembrie 2018. Arhivat din original la 12 martie 2017. (Rusă)
4. ↑ V. G. Mokerov, A. V. Rakov, Investigation of the reflection spectre of vanadium dioxide single crystals during the semiconductor-metal phase transition, FTT, 1968, v. 10, pp. 1556-1557
5. ↑ Mokerov, Vladimir Grigorievich, Studii ale oxizilor de vanadiu: Rezumat al tezei. dis. pentru competitie om de stiinta Etapa. d.f.-m. n. - M., 1982. - 53 p., Biblioteca Națională Rusă [1]
6. ↑ A. N. Voronovsky, I. U. Itskevich, L. M. Kashirskaya, V. D. Kulakovskii, B. K. Medvedev, V. G. Mokerov, Long-lived photoconductivity in selectively doped n-AlxGa1-xAs/GaAs structures under conditions of hydrostatic letters, v.1942. . 10, p. 405-408.
7. ↑ B. V. Zhurkin, V. G. Mokerov, B. K. Medvedev, S. R. Oktyabrsky, S. S. Shmelev, Nunupavrov, Quantum Hall effect in GaAs/AlGaAs heterostructures, Phys. Institutul Academiei de Științe a URSS, Prepr., 1985, Nr. 243, p. 12.
8. ↑ PM Imamov, A. A. Lomov, V. P. Sirochenko, A. S. Ignatiev, V. G. Mokerov, G. Z. Nemtsev, Yu. difractometrie de înaltă rezoluție, FTP, 1994, v. 28, nr. 8, p. 1346-1353.
9. ↑ M. V. Karachevtseva, A. S. Ignatiev, V. G. Mokerov, G. Z. Nemtsev, V. A. Strakhov, N. G. Yaremenko, Temperature studies of photoluminescence of InxGa1-xAs/GaAs structures with quantum wells, FTP, 1927, v. 1, pp. 1218.
10. ↑ Mormântul lui V. G. Mokerov . Preluat la 25 iulie 2019. Arhivat din original la 26 iulie 2019. (nedefinit)
11. ↑ Fundația pentru Sprijinirea Educației și Științei numită după Membrul Corespondent Ran Mokerov V.G. Preluat la 9 septembrie 2018. Arhivat din original la 30 iunie 2018. (nedefinit)
12. ↑ Conferința internațională științifică și practică „Moker Readings” a avut loc la Universitatea Națională de Cercetare Nucleară MEPhI [2] Copie de arhivă din 11 decembrie 2018 la Wayback Machine
13. ↑ A fost creată Instituția Autonomă Federală a Statului - ISVChPE RAS . Preluat la 9 septembrie 2018. Arhivat din original la 2 septembrie 2018. (nedefinit)
14. ↑ V. G. Mokerov, V. Ya. Gunter, S. N. Arzhanov, Yu. V. Fedorov, M. Yu. Shcherbakova, L. I. Babak, A. A. Barov, V. M. Cherkashin, F I. Sheerman, Amplificator monolitic cu zgomot redus în bandă X bazat pe 0,15 Tehnologia µm GaAs PHEMT, cea de-a 17-a Conferință Internațională din Crimeea „Inginerie cu microunde și tehnologii de telecomunicații” materiale de conferință 10-14 septembrie 2007
15. ↑ V. G. Mokerov, A. L. Kuznetsov, Yu. V. Fedorov, E. N. Enyushkina, A. S. Bugaev, A. Yu. Pavlov, D. L. Gnatyuk, A. V. Zuev, R R. Galiev, Yu. indiu și aluminiu - structuri și dispozitive", iunie 18-, 20, 2008, Sankt Petersburg, p. 148-149.
16. ↑ Lista publicațiilor științifice http://www.mokerov.ru/works/ Copie de arhivă din 18 august 2018 la Wayback Machine

Link -uri

• Profilul lui Vladimir Grigoryevich Mokerov pe site-ul oficial al Institutului de Chimie Superioară și Evoluție al Academiei Ruse de Științe . Preluat: 12 septembrie 2018. (Rusă)
• VLADIMIR GRIGORYEVICH MOKEROV Cu ocazia împlinirii a 70 de ani . Inginerie radio și electronică, 2010, volumul 55, nr.8, p. 1020-1024. Preluat: 12 septembrie 2018. (Rusă)
• Rusia are electronice cu microunde în stare solidă. În memoria lui Vladimir Grigorievici Mokerov (3 septembrie 2010). Preluat: 12 septembrie 2018. (Rusă)
• În memoria lui Vladimir Grigorievici Mokerov. La 70 de ani de la naștere . Microelectronica, 2010, volumul 39, nr.5, p. 323-326. Preluat: 12 septembrie 2018. (Rusă)
• Institutul de Electronică cu Semiconductori cu Microunde. V. G. Mokerov al Academiei Ruse de Științe . Preluat: 12 septembrie 2018. (Rusă)
• Amintiri ale lui V. G. Mokerov . Preluat: 12 septembrie 2018. (Rusă)
• Mokerov V. G. Moștenirea științifică. M.: Agenția CIP RSL, 2010. - 607 p.

Interviu

• „Electronica nanoheterostructurală” // Ziarul „Industrial Weekly”, nr. 16(17), p.6, 2003 [3]
• „În Rusia, este posibilă propria sa electronică cu microunde în stare solidă” // Jurnalul „Electronics NTB”, nr. 8, 2003. [4] , [5]
• „Va crește industria?” // Ziarul „Căutare”, nr. 16 (986), p. 12, 2008.