Tretiakov, Dmitri Nikolaevici

Dmitri Nikolaevici Tretiakov

Data nașterii	20 martie 1935( 20.03.1935 )
Data mortii	2002( 2002 )
Sfera științifică	semiconductori
Premii și premii

Dmitri Nikolaevici Tretiakov (1935-2002) - om de știință sovietic și rus, laureat al Premiului Lenin (1972).

Absolvent al LETI (1957).

Din 1957 până în ultimele zile ale vieții a lucrat la Institutul Fizico-Tehnic. A. F. Ioffe Academia de Științe a URSS (RAS).

El a stabilit că arseniura de aluminiu, care este instabilă în sine, este absolut stabilă în compusul ternar aluminiu-galiu-arsen într-o „soluție solidă”. Deci s-a găsit heteroparagaliu - arseniură de galiu-arseniură de aluminiu (1968).

A fost membru al unui grup de oameni de știință ( Zh.I. Alferov , V.M. Andreev , D.Z. Garbuzov , V.I. Korolkov , V.I.D.N. Tretyakov,

Coautor al lucrării Zhores Alferov în cercetare:

Joncțiuni p-n de înaltă tensiune în cristale GaxAl1-xAS (V. M. Andreev, V. I. Korolkov, D. N. Tretyakov, V. M. Tuchkevich)
Proprietățile de injecție ale heterojoncțiilor n-AlxGa1 - xAs - p-GaAs (V. M. Andreev, V. I. Korolkov, E. L. Portnoy, D. N. Tretyakov)
Heterojoncții AlxGa1 - xAs - GaAs (V. M. Andreev, V. I. Korolkov, E. L. Portnoy, D. N. Tretyakov)

A predat la Catedra de Optoelectronică a LETI (în ciuda faptului că nu avea diplomă).

Compozitii:

Epitaxia lichidă în tehnologia dispozitivelor semiconductoare [Text] / V. M. Andreev, L. M. Dolginov, D. N. Tretyakov; Ed. Membru corespondent Academia de Științe a URSS Zh. I. Alferova. - Moscova: Consiliu. radio, 1975. - 328 p. : rahat.; 17 cm
Zh. I. Alferov, V. M. Andreev, V. I. Korolkov, ¨ E. L. Portnoy, D. N. Tretiakov. Tr. IX Int. conf. asupra structurilor semiconductoare (Moscova, 23-29 iulie 1968) (L., Nauka, 1969) 1, 534
Proprietățile de injectare ale heterojoncțiilor n-AlxGai.xAs-pGaAs / Zh. I. Alferov, V. M. Andreev, V. I. Korolkov, E. L. Portnoy, D. N. Tretyakov. // FTP. 1968. - V. 2. - S. 1016-1019.
Zh. I. Alferov, Ya. V. Bergmann, V. I. Korolkov, V. G. Nikitin, M. N. Stepanova, A. A. Yakovenko, D. N. Tretyakov. Investigarea ramurii directe a caracteristicii curent-tensiune a joncțiunilor p-n bazate pe GaAs ușor dopat. FTP, 1978, v. 12, c. 1, p. 68-74.

Premiul Lenin în 1972 (ca parte a unei echipe) - pentru cercetarea fundamentală asupra heterojoncțiilor în semiconductori și crearea de noi dispozitive bazate pe acestea.

Tretiakov, Dmitri Nikolaevici

Surse