Gorbatyuk, Andrei Vasilievici
| Andrei Vasilevici Gorbatyuk | |
|---|---|
| Data nașterii | 9 mai 1946 (76 de ani) |
| Locul nașterii | Cu. Kapitanovka , districtul Zlatopolsky , regiunea Kirovograd , RSS Ucraineană , URSS |
| Țară | URSS → Rusia |
| Sfera științifică | fizica semiconductorilor |
| Loc de munca | FTI-i. Ioffe RAS |
| Alma Mater | Institutul Politehnic din Odesa |
| Grad academic | Doctor în Științe Fizice și Matematice |
| Titlu academic | Profesor |
| Premii și premii |
 |
Andrei Vasilievici Gorbatyuk (n . 9 mai 1946 , satul Kapitanovka , regiunea Kirovograd , RSS Ucraineană ) este un fizician teoretician sovietic și rus , specialist în dispozitive semiconductoare de putere. Laureat al Premiului de Stat al URSS (1987) .
Biografie profesională
A absolvit Institutul Politehnic din Odesa (acum Universitatea Națională Politehnică Odesa ), apoi studii postuniversitare la FTI. A. F. Ioffe de la Academia de Științe a URSS (acum RAS ) din Leningrad .
Din 1981 lucrează la FTI. Ioffe în Laboratorul de Dispozitive Semiconductoare Puternice, în prezent cercetător șef. Doctor în științe fizice și matematice (2003).
Din 1996, a predat cu jumătate de normă la Universitatea Politehnică din Sankt Petersburg . Profesor (2011).
Activitate științifică și realizări
El a dezvoltat teoria dinamicii și stabilității proceselor de injecție în structuri multistrat și semiconductoare integrale la densități mari de curent. El a propus un principiu fizic și a dezvoltat teoria unui dinistor cu comutare inversă (RVD) - un comutator cu semiconductor de putere în intervalul de microsecunde. RVD a fost implementat cu participarea lui A. V. Gorbatyuk la Institutul Fizicotehnic și a devenit cel mai puternic comutator semiconductor de înaltă tensiune (3 kV) în intervalul de microsecunde (curent de comutare maxim 0,3⋅10 6 A).
Autor a aproximativ 90 de publicații științifice [1] . Lucrări alese:
- Grekhov IV , Gorbatyuk AV , Kostina LS , Korotkov SV , Jakovtchuk NS Comutator de superputere cu interval de microsecunde // Solid-State Electronics - 1983 - vol. 26 - nr. 11-p. 1132.
- Gorbatyuk AV , Grekhov IV , Nalivkin AV Teoria funcționării cvasidiodelor dinistorilor cu comutare inversă // Electronică cu stare solidă - 1988 - vol. 31 - nr. 10-pag. 1483-1491 (vezi adnotare ).
- Gorbatyuk AV , Niedernostheide FJ Instabilități spațiale ale densității curentului în structurile semiconductoare multistrat // Revista fizică B – 2002 – v. 65 - nr. 24 – ArtNo#245318 [15 pagini] (vezi rezumat ).
- Slipchenko SO , Podoskin AA , Pikhtin NA , Tarasov IS , Gorbatyuk AV Model de procese de injecție în stare de echilibru într-un tiristor laser de mare putere bazat pe heterostructură cu feedback optic intern // IEEE Transactions on Electron Devices – 2015 – v. 62 - nr. 1-pag. 149-154 (vezi rezumatul ).
- Gorbatyuk A. V. Instabilități și stratificare curentă în structurile semiconductoare: manual. alocație // 2009 - Sankt Petersburg: Editura Polytech. un-ta - 79 p. – ISBN 978-5-7422-2340-5 .
Laureat al Premiului de Stat al URSS în 1987 „Pentru dezvoltarea de noi principii de comutare a puterilor mari prin dispozitive semiconductoare” [2] .
Note
- ↑ Vezi lista publicațiilor lui A. V. Gorbatyuk și datele citate ale acestora pe site-ul eLIBRARY.ru .
- ↑ Despre acordarea Premiilor de Stat URSS în domeniul științei și tehnologiei . Ziarul „Pravda” (7 noiembrie 1987). Preluat la 22 aprilie 2020. Arhivat din original la 14 mai 2021.