Andrei Vasilevici Gorbatyuk | |
---|---|
Data nașterii | 9 mai 1946 (76 de ani) |
Locul nașterii | Cu. Kapitanovka , districtul Zlatopolsky , regiunea Kirovograd , RSS Ucraineană , URSS |
Țară | URSS → Rusia |
Sfera științifică | fizica semiconductorilor |
Loc de munca | FTI-i. Ioffe RAS |
Alma Mater | Institutul Politehnic din Odesa |
Grad academic | Doctor în Științe Fizice și Matematice |
Titlu academic | Profesor |
Premii și premii |
![]() |
Andrei Vasilievici Gorbatyuk (n . 9 mai 1946 , satul Kapitanovka , regiunea Kirovograd , RSS Ucraineană ) este un fizician teoretician sovietic și rus , specialist în dispozitive semiconductoare de putere. Laureat al Premiului de Stat al URSS (1987) .
A absolvit Institutul Politehnic din Odesa (acum Universitatea Națională Politehnică Odesa ), apoi studii postuniversitare la FTI. A. F. Ioffe de la Academia de Științe a URSS (acum RAS ) din Leningrad .
Din 1981 lucrează la FTI. Ioffe în Laboratorul de Dispozitive Semiconductoare Puternice, în prezent cercetător șef. Doctor în științe fizice și matematice (2003).
Din 1996, a predat cu jumătate de normă la Universitatea Politehnică din Sankt Petersburg . Profesor (2011).
El a dezvoltat teoria dinamicii și stabilității proceselor de injecție în structuri multistrat și semiconductoare integrale la densități mari de curent. El a propus un principiu fizic și a dezvoltat teoria unui dinistor cu comutare inversă (RVD) - un comutator cu semiconductor de putere în intervalul de microsecunde. RVD a fost implementat cu participarea lui A. V. Gorbatyuk la Institutul Fizicotehnic și a devenit cel mai puternic comutator semiconductor de înaltă tensiune (3 kV) în intervalul de microsecunde (curent de comutare maxim 0,3⋅10 6 A).
Autor a aproximativ 90 de publicații științifice [1] . Lucrări alese:
Laureat al Premiului de Stat al URSS în 1987 „Pentru dezvoltarea de noi principii de comutare a puterilor mari prin dispozitive semiconductoare” [2] .