Efect Kirk

Efectul Kirk - fenomen de creștere a grosimii bazei unui tranzistor bipolar , cauzat de o creștere a curentului de colector peste o anumită valoare , celelalte condiții fiind neschimbate. $I_{CK}$

Acest lucru se explică printr-o creștere a concentrației de purtători minoritari în bază la curenți mari de colector, ceea ce determină o scădere a grosimii regiunii de încărcare spațială a joncțiunii colectorului și, prin urmare, o creștere a grosimii bazei. Valoarea prag a curentului de colector , pornind de la care apare efectul Kirk, este determinată din condiția ca concentrația de electroni cauzată de fluxul de curent să depășească concentrația de impurități la limita bazei din partea colectorului, adică din partea colectorului. starea . Rezultă din aceasta: efectul Kirk reduce câștigul de curent și crește timpul de tranzit al purtătorilor minoritari prin bază. $I_{CK}$ $I_{CK}$ $N_{B}$ ${\frac {I_{CK}}{Sev_{s}}}>N_{B}$ $I_{CK}>Sev_{s}N_{B}$ $\beta _{F}={\frac {|I_{C}|}{|I_{B}|}}$

Vezi și

Efect timpuriu

Literatură

Sugano, T., Ikoma T., Takeishi Y. Introduction to microelectronics. - M.: Mir, 1988. - S. 102. - ISBN 5-03-001109-9 .