EEPROM
Versiunea actuală a paginii nu a fost încă examinată de colaboratori experimentați și poate diferi semnificativ de versiunea revizuită pe 7 mai 2022; verificarea necesită 1 editare .EEPROM ( Eg. Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory ) - ROM reprogramabilă cu ștergere electrică (EEPROM), unul dintre tipurile de memorie nevolatilă (cum ar fi PROM și EPROM ).
Până în prezent, tehnologia clasică EEPROM cu două tranzistoare a fost aproape complet înlocuită cu memoria flash NOR . Cu toate acestea, numele EEPROM a rămas ferm cu segmentul de memorie de capacitate redusă, indiferent de tehnologie.
Cum funcționează
Principiul de funcționare al EEPROM se bazează pe schimbarea și înregistrarea unei sarcini electrice într-o regiune izolată (buzunarul) a unei structuri semiconductoare. [unu]
Schimbarea sarcinii („scriere” și „ștergere”) se realizează prin aplicarea unui potențial mare între poartă și sursă, astfel încât intensitatea câmpului electric în dielectricul subțire dintre canalul tranzistorului și buzunar este suficientă pentru a provoca o efect de tunel . Pentru a spori efectul tunelului de electroni în buzunar în timpul înregistrării, se aplică o ușoară accelerare a electronilor prin trecerea curentului prin canalul tranzistorului cu efect de câmp (fenomenul injecției purtătorului fierbinte ).
Citirea se face de un FET , pentru care buzunarul acționează ca o poartă. Potențialul de poartă plutitoare modifică caracteristicile de prag ale tranzistorului, care este înregistrat de circuitele de citire.
Caracteristica principală a unei celule EEPROM clasice este prezența unui al doilea tranzistor, care ajută la controlul modurilor de scriere și ștergere. Unele implementări au fost realizate sub forma unui singur tranzistor cu efect de câmp cu trei porți (o poartă plutitoare și două convenționale).
Acest design este furnizat cu elemente care îi permit să funcționeze într-o gamă largă de aceleași celule. Conexiunea se realizează ca o matrice bidimensională, în care există o celulă la intersecția coloanelor și rândurilor. Deoarece celula EEPROM are o a treia poartă, pe lângă substrat, la fiecare celulă sunt conectate 3 conductori (un conductor de coloană și 2 conductori de rând).
Lista producătorilor de EEPROM
- Mikron Sitronics
- Tehnologia Aplus Flash
- Mitsubishi Electric
- Atmel
- Hitachi
- Infineon
- Maxwell Technologies
- tehnologie cu microcip
- NXP Semiconductors
- Tehnologia Renesas
- ROHM Electronics
- Samsung Electronics
- Smarttech
- STMicroelectronics
- Instrumente Seiko
- winbond
- Integral
- Catalyst Semiconductor Inc.
- Micron
Note
- ↑ Tehnologia EEPROM . Preluat la 22 iulie 2011. Arhivat din original la 20 martie 2012.
Literatură
- Ugryumov E.P. Circuite digitale: manual. indemnizație pentru universități. - Ed. a 3-a, revizuită. si suplimentare - Sankt Petersburg. : BHV-Petersburg, 2010. - S. 301-305. - ISBN 978-5-9775-0162-0 .
 Dicționare și enciclopedii | |
|---|---|
| În cataloagele bibliografice |