Akasaki, Isamu
Isamu Akasaki ( japonez 赤崎勇, 30 ianuarie 1929 , Tiran - 1 aprilie 2021 , Nagoya ) este un om de știință japonez cunoscut pentru munca sa în domeniul științei materialelor semiconductoare și optoelectronică . Premiul Nobel pentru Fizică , membru al Academiei Japoneze de Științe (2014) [4] . Inventatorul LED-urilor semiconductoare cu nitrură de galiu albastru strălucitor (1989) și, ulterior, LED-urilor albastre cu nitrură de galiu de luminozitate ridicată
.
Biografie
Născut și crescut în prefectura Kagoshima , unde în timpul războiului casa i-a fost distrusă și aproape că a murit în urma unui raid aerian american. A absolvit Universitatea din Kyoto în 1952 și a lucrat pentru scurt timp pentru Kobe Kogyo Co. (acum Denso Ten ). Din 1959, a fost angajat în lucrări de cercetare în domeniul electronicii la Universitatea Nagoya și în 1964 a primit un doctorat în inginerie. Apoi a lucrat la Matsushita Electric Industrial , unde a condus laboratorul de cercetare fundamentală și departamentul de cercetare a semiconductorilor. Din 1981 este profesor la Departamentul de Electronică de la Universitatea Nagoya. [5] [6] . Din 1992, a lucrat la Universitatea Meijo , unde din 1996 a fost directorul Centrului de Cercetare a Semiconductorilor Nitruri. În 2004, Universitatea din Nagoya ia acordat un post de profesor onorific; în 2006, aici s-a deschis Institutul Akasaki, care poartă numele lui [7] .
Din 1973, el a efectuat cercetări la scară completă care vizează crearea de diode emițătoare de lumină cu semiconductor albastru. Tehnologia de creare a LED-urilor roșii și verzi a fost dezvoltată până atunci. Problema a fost obținerea cipurilor semiconductoare potrivite de bună calitate; cei mai populari candidați au fost nitrura de galiu și seleniura de zinc , dar aceasta din urmă nu a fost foarte stabilă. În 1985, Akasaki și colegii de muncă au obținut succes cu o propunere de a crește cristale de nitrură de galiu pe un substrat de safir , acoperit cu un strat tampon de nitrură de aluminiu . În 1989, ei au arătat că dopajul cu atomi de magneziu transformă un cristal de nitrură de galiu într -un semiconductor de tip p , capabil să producă o strălucire mult mai intensă. Pe această bază, primele LED-uri albastre au fost create la începutul anilor 1990 [7] [5] .
Premii și distincții
Publicații selectate
- Amano H., Sawaki N., Akasaki I., Toyoda Y. Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using a AlN buffer layer // Applied Physics Letters . - 1986. - Vol. 48.—P. 353–355. - doi : 10.1063/1.96549 .
- Amano H., Kito M., Hiramatsu K., Akasaki I. Conducție de tip P în GaN dopat cu Mg tratat cu iradiere cu fascicul de electroni de energie scăzută (LEEBI) // Jurnalul japonez de fizică aplicată. - 1989. - Vol. 28. - P. L2112–L2114. - doi : 10.1143/JJAP.28.L2112 .
- Akasaki I., Amano H., Koide Y., Hiramatsu K., Sawaki N. Efectele stratului tampon ain asupra structurii cristalografice și asupra proprietăților electrice și optice ale filmelor GaN și Ga1-xAlxN (0 < x ≦ 0,4) crescute pe safir substrat de MOVPE // Journal of Crystal Growth. - 1989. - Vol. 98.—P. 209–219. - doi : 10.1016/0022-0248(89)90200-5 .
- Amano H., Kito M., Hiramatsu K., Akasaki I. Proprietățile de creștere și luminescență ale GaN dopat cu Mg Preparat de MOVPE // Journal of the Electrochemical Society. - 1990. - Vol. 137. - P. 1639-1641. - doi : 10.1149/1.2086742 .
- Akasaki I., Amano H., Kito M., Hiramatsu K. Photoluminescence of Mg-doped p-type GaN and electroluminescence of GaN pn jonction LED // Journal of Luminescence. - 1991. - Vol. 48-49. - P. 666-670. - doi : 10.1016/0022-2313(91)90215-H .
- Hiramatsu K., Itoh S., Amano H., Akasaki I., Kuwano N., Shiraishi T., Oki K. Mecanismul de creștere a GaN crescut pe safir cu strat tampon A1N de către MOVPE // Journal of Crystal Growth. - 1991. - Vol. 115. - P. 628-633. - doi : 10.1016/0022-0248(91)90816-N .
- Akasaki I., Sota S., Sakai H., Tanaka T., Koike M., Amano H. Dioda laser semiconductoare cu cea mai scurtă lungime de undă // Electronics Letters. - 1996. - Vol. 32. - P. 1105-1106. - doi : 10.1049/el:19960743 .
- Akasaki I., Amano H. Creșterea cristalului și controlul conductivității semiconductorilor cu nitrură de grup III și aplicarea lor la emițători de lumină cu lungime de undă scurtă // Jurnalul japonez de fizică aplicată. - 1997. - Vol. 36. - P. 5393-5408. doi : 10.1143 / jjap.36.5393 .
- Takeuchi T., Amano H., Akasaki I. Studiu teoretic al dependenței de orientare a efectelor piezoelectrice în heterostructuri GaInN/GaN tensionate de wurtzit și puțuri cuantice // Jurnalul japonez de fizică aplicată. - 2000. - Vol. 39. - P. 413-416. doi : 10.1143 / jjap.39.413 .
- Akasaki I. Fascinating Adventures in Search of Blue Light: Nobel Lecture // Phys . - 2016. - T. 186 . — S. 504–517 . - doi : 10.3367/UFNr.2014.12.037725 .
Note
- ↑ Isamu Akasaki - Fapte (engleză) - Fundația Nobel .
- ↑ https://www.nippon.com/en/news/yjj2021040200887/
- ↑ Science in Action, Premiile Nobel 2014 (engleză) - BBC , 2014.
- ↑ Membrii decedați arhivați 18 august 2021 la Wayback Machine
- ↑ 12 Koide , 2021 .
- ↑ OSA, 2021 .
- ↑ 1 2 Hayes DC Akasaki Isamu . Enciclopedia Britannica (7 aprilie 2021). Preluat la 19 august 2021. Arhivat din original la 20 iulie 2021.
- ↑ Dr. Isamu Akasaki Arhivat pe 6 iunie 2021 la Wayback Machine
- ↑ Fundația Inamori Arhivat 4 martie 2016.
- ↑ Destinatarii medaliei de procesare a semnalului IEEE Jack S. Kilby . IEEE . Consultat la 7 octombrie 2014. Arhivat din original la 5 septembrie 2016.
- ↑ Premiul Nobel pentru Fizică 2014 - Comunicat de presă . Nobelprize.org . Nobel Media AB 2014. Consultat la 7 octombrie 2014. Arhivat din original la 19 octombrie 2017.
Literatură
Link -uri
 Site-uri tematice |
|
|---|
| Dicționare și enciclopedii |
|
|---|
| Genealogie și necropole |
|
|---|
| În cataloagele bibliografice |
|---|
|
|
|
Site-uri tematice