Mu (electronică)

Versiunea actuală a paginii nu a fost încă examinată de colaboratori experimentați și poate diferi semnificativ de versiunea revizuită la 3 august 2019; verificările necesită 2 modificări .

$\mu$ ( mu ) în electronică - câștigul maxim de tensiune posibil al unui dispozitiv electronic activ - un tranzistor , o lampă cu electroni sau un ansamblu de circuit mai complex. definită ca raportul dintre (a) creșteri de tensiune la electrozii de ieșire (colector-emițător, dren-sursă, anod-catod) și (b) incremente de tensiune de control (bază-emițător, poartă-sursă, grilă-catod) care provoacă aceeași modificare a curentului de ieșire (curent de colector, curent de scurgere, curent de anod) [1] . Amplificarea tensiunii in $\mu$ $\mu$ odată teoretic posibil doar cu o rezistență la sarcină infinit de mare; în cascade reale cu o rezistență de sarcină finită, câștigul este întotdeauna mai mic . Panta caracteristicii de transfer , rezistența internă dintre electrozii de ieșire și câștigul sunt interconectate prin ecuația parametrilor triodei (în surse străine, " formula van der Bijl ") $\mu$ $S$ $R_i$ $\mu$

\mu =Sr_{i)

[2] .

Tranzistoare bipolare

Pentru tranzistor bipolar

\mu =Sr_{ce}=\left({\frac {I_{c}}{\phi _{t}}}\right)\left({\frac {U_{a}}{I_{ c}}}\right)={\frac {U_{a}}{\phi _{t}}}

[3] [4] ,

unde este curentul colectorului, este tensiunea Earley , este coeficientul de temperatură, care este de aproximativ 26 mV pentru siliciu la o temperatură de +25°C [4] . La tensiunile tipice Early ale tranzistoarelor de siliciu și temperatura normală , și [5] . Pentru tranzistori (spre deosebire de lămpi), valoarea nu este printre parametrii principali [4] și aproape niciodată nu este indicată în mod explicit, deoarece este echivalentul tensiunii Earley [5] . Este rar folosit în calcule practice (efectul Earley poate fi de obicei neglijat) - aceasta este limita teoretică pentru o cascadă cu un singur tranzistor cu un emițător comun sau o bază comună [4] , implementată numai la relanti (fără priză de putere). de sarcină) [5] . Este posibil să te apropii de cel calculat într-un amplificator real doar folosind o sarcină activă a colectorului pe o sursă de curent tranzistor (o sarcină rezistivă ar necesita o tensiune de alimentare extrem de mare) [5] . $IC}$ $U_{a}$ $\phi _{t)$ $\mu _{npn}\aproximativ 1000...6000$ $\mu _{pnp}\aproximativ 1000...3000$ $\mu$ $\mu$ $\mu$

Triode

Pentru triodă cu vid

\mu =1/D=C_{ck}/C_{ak)

[6] ,

unde este permeabilitatea electrostatică a rețelei de control , sunt capacitățile rețelei-catod și anod-catod. Valoarea reciprocă a permeabilității servește ca măsură a eficacității acțiunii de ecranare a rețelei: cu cât plasa este înfășurată mai groasă, ceea ce corespunde unor valori mai mari ale , cu atât efectul anodului asupra curentului care curge este mai slab [7]. ] [6] . practic nu se schimbă odată cu îmbătrânirea lămpii, practic nu depinde de curentul filamentului sau de temperatura catodului și depinde slab de alegerea punctului de funcționare. În condiții normale deplasări negative pe grilă este practic neschimbată [6] . La tensiuni pozitive pe rețea scade din cauza ramificării unei părți din curentul catodic în circuitul rețelei, iar la tensiuni negative apropiate de tensiunea de blocare, datorită efectului de insulă [6] . Cea mai mică valoare , aproximativ 2..3, este caracteristică triodelor puternice specializate pentru stabilizatoarele de tensiune, care au cea mai mică impedanță de ieșire posibilă. În tuburile pentru amplificare de tensiune și putere, intervalul se extinde de la aproximativ 4 (triode de ieșire puternice de filament direct) la 120 (tuburi cu tensiune înaltă pentru amplificare) [8] . $D$ $C_{ck},C_{ak}$ $\mu$ $\mu$ $\mu$ $\mu$ $\mu$ $\mu$ $\mu$ $\mu$

Note

↑ Batushev, 1969 , p. 85.
↑ Batushev, 1969 , p. 86-87.
↑ Titze și Schenk, vol. 1, 2008 , p. 124.
↑ 1 2 3 4 Titze și Schenk, vol. 1, 2008 , p. 565.
↑ 1 2 3 4 Titze și Schenk, vol. 1, 2008 , p. 125.
↑ 1 2 3 4 Batushev, 1969 , p. 86.
↑ Batushev, 1969 , p. 61.
^ Whitaker J. The Electronics Handbook . - CRC Press, 1996. - P. 300. - ISBN 9780849383458 .

Literatură

Batushev V. A. Dispozitive electronice. - M . : Şcoala superioară, 1969. - 608 p. — 90.000 de exemplare.
Tietze U. , Shenk K. Circuite semiconductoare. Volumul I. - ediţia a XII-a. - M. : DMK-Press, 2008. - 832 p. — ISBN 5940741487 .