Telurura de plumb
Versiunea actuală a paginii nu a fost încă examinată de colaboratori experimentați și poate diferi semnificativ de versiunea revizuită pe 19 octombrie 2020; verificările necesită 2 modificări .| Telurura de plumb | |
|---|---|
| General | |
| Chim. formulă | PbTe |
| Proprietăți fizice | |
| Stat | solid |
| Masă molară | 334,80 g/ mol |
| Densitate |
8,16 g/ cm3 Perioada de grătare 0,646 nm |
| Proprietati termice | |
| Temperatura | |
| • topirea | 924°C |
| Coeff. temp. extensii | 19,8*10 -6 K -1 |
| Structura | |
| Structură cristalină | cubic, structura NaBr |
| Clasificare | |
| Reg. numar CAS | 1314-91-6 |
| PubChem | 4389803 |
| Reg. numărul EINECS | 215-247-1 |
| ZÂMBETE | [Te]=[Pb] |
| InChI | InChI=1S/Pb.TeOCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N |
| ChemSpider | 3591410 |
| Datele se bazează pe condiții standard (25 °C, 100 kPa), dacă nu este menționat altfel. | |
Telurura de plumb (PbTe) este un compus chimic anorganic binar de plumb și telur care cristalizează într-o structură cubică precum NaCl . Semiconductor cu decalaj direct cu decalaj îngust al grupului A IV B VI [1] cu o bandă interzisă de 0,31 eV la 300 K . Un material termoelectric popular . Apare în mod natural sub formă de minerală altaite .
Telurura de plumb are o constantă dielectrică neobișnuit de mare pentru semiconductori ( 410 la 300 K), a cărei valoare crește la 3000 când este răcită la 7,8 K. Prin urmare, telurura de plumb este clasificată drept feroelectric virtual [2] .
De mare importanță practică este compusul ternar plumb-staniu-teluriu , care are o bandă interzisă care depinde de cantitatea de staniu. Este folosit la fabricarea de fotorezistoare , fotodiode , lasere care funcționează în regiunea infraroșu a spectrului.
Note
- ↑ Stări profunde și rezonante în semiconductori de tip A4B6 // Uspekhi fizicheskikh nauk : zhurnal. - Academia Rusă de Științe , 1985. - T. 145 . - S. 51-86 . Arhivat din original pe 17 mai 2015.
- ↑ Bate, R.T.; Carter, D.L.; Wrobel, JS Comportamentul paraelectric al PbTe // Fizic . Rev. Lett. : jurnal. - 1970. - Vol. 25 . - P. 159-162 . - doi : 10.1103/PhysRevLett.25.159 .
Link -uri
- G. Nimtz, B. Schlicht. „Săruri înguste de plumb”. În: Narrow gap semiconductor. Springer Tracts in Modern Physics, voi. 98, p. 1-117 (1983).
- Dalven, R. O revizuire a proprietăților semiconductoarelor PbTe, PbSe, PbS și PbO, Infrared Physics, 9, 141 - 184 (1969)
- H. Preier. Recent Advances in Lead-Chalcogenide Diode Lasers, Applied Physics 10, 189-206, 1979.
- H. Maier şi J. Hesse. „Creșterea, proprietățile și aplicațiile semiconductoarelor cu decalaj îngust” în Crystal Growth, Properties and Applications, ed. HC Freyhardt, 145-219, Springer Verlag, Berlin, 1980.